南智薄膜鈮酸鋰PDK2.0
南智薄膜(mo)鈮酸鋰(li)PDK2.0，基于4寸硅基薄膜(mo)鈮酸鋰(li)晶(jing)圓，BOX層SiO2厚度(du)為(wei)4.7 μm，LN層厚度(du)為(wei)600 nm，脊波導刻(ke)蝕深度(du)為(wei)300 nm。調制器行(xing)波電極采用(yong)Au電極，直(zhi)流偏置控制采用(yong)NiCr電極。
南智薄膜鈮酸鋰PDK2.0器件性能
設計工藝套件（PDK）（支持Luceda、逍遙科技 PDK）
南智光電TFLN流片說明
南(nan)智光電提(ti)供多種流片服務(wu)
多項目晶圓（MPW）模式(shi)、全掩膜（Full Mask)模式(shi)、EBL工(gong)藝模式(shi)
客戶可以根據自己(ji)的(de)具(ju)體需求、預算以及項目階段選擇合(he)適的(de)流(liu)片模式。南智(zhi)光電提供的(de)這些服(fu)務選項，為客戶提供了靈活(huo)多(duo)樣的(de)選擇，有(you)助于推動科技創新(xin)和產(chan)業升級。同時(shi)，南智(zhi)光電的(de)專(zhuan)業團隊和先進(jin)設備也能(neng)保證(zheng)流(liu)片過程(cheng)的(de)高質(zhi)量(liang)和高效率，滿足客戶的(de)多(duo)樣化需求。
多項目晶圓（MPW）模式
特點：基于南智薄膜鈮酸鋰PDK1.0進行版圖設計，加工費用較低，價格根據所需版圖面積確定，加工和交付周期固定。
適(shi)用場景：適(shi)用于小批(pi)量生產或對前(qian)期驗證有需求的客戶。
全掩膜（Full Mask）模式
特點：可基于PDK進行版圖設計，同時支持與客戶工程師直接溝通，以定制版圖設計與工藝流程，加工費用較高，但加工和交付周期較為靈活。
適用場景：適用于小(xiao)批量生產(chan)、中試階段或研發驗證階段，適用于工(gong)藝流程有特定需求的客戶。
EBL工藝模式
EBL工藝(yi)模(mo)式(shi)：
特點：基于PDK進行版(ban)圖設計(ji)(ji)，同(tong)時(shi)支持與南智工程(cheng)師的直接(jie)溝通，以定制版(ban)圖設計(ji)(ji)與工藝(yi)流(liu)程(cheng)，在設計(ji)(ji)與工藝(yi)上具有(you)較高的靈(ling)活性。
適用(yong)場(chang)景：特別適用(yong)于器件研(yan)發階段(duan)，尤其是(shi)在需(xu)要高度定制化和創(chuang)新設計的項目(mu)中。
