可(ke)加工8英寸及以下各種晶圓及碎(sui)片，線(xian)寬精度依據需求(qiu)最小可(ke)到8nm,  產品(pin)種類可(ke)選擇范(fan)圍(wei)廣泛。可(ke)制備光(guang)柵、波(bo)導、 Meta 等。

現有設備： DUV、EBL、MA6、MA8、納米(mi)壓印、自(zi)動(dong)勻(yun)膠顯影(ying)機等(deng)。

小線寬鍍膜剝離工藝制(zhi)備膜厚100nm，線(xian)寬110nm的(de)Al光(guang)柵結構。

EBL光刻穩定工藝最小線寬40nm。

DUV可提(ti)供8寸晶圓(yuan)級批量加工服務(wu)。

MA6光刻最小線寬1μm，

MA8 8寸光刻片。

可加工8英(ying)寸及(ji)以下各(ge)種晶圓(yuan)及(ji)碎片，刻蝕材料種類較多，包括(kuo)：硅(gui)、氧化(hua)(hua)硅(gui)、氮化(hua)(hua)硅(gui)、磷化(hua)(hua)銦 、氮化(hua)(hua)鎵、藍寶石、鈮酸鋰(li)、鉭酸鋰(li)、石英(ying)、氧化(hua)(hua)鈦(tai)、氮化(hua)(hua)坦及(ji)各(ge)種金屬氧化(hua)(hua)物等。

現有(you)設(she)備： RIE、ICP1、ICP2、IBE、深(shen)硅(gui)刻(ke)蝕機、深(shen)介質刻(ke)蝕機、氣態釋(shi)放刻(ke)蝕機等。

α-Si Meta刻蝕工藝，線寬160nm,  深度900nm。

氧化鈦Meta刻蝕(shi)，線寬195nm,深(shen)度650nm

氮(dan)化鉭刻蝕(shi)(shi)，硅(gui)襯底/熔融石英襯底刻蝕(shi)(shi)角度均>85°。       

可(ke)加工(gong)(gong)8英寸及以下各(ge)種(zhong)晶圓及碎片，鍍膜(mo)材料品種(zhong)齊全，包括：氧(yang)化(hua)硅(gui)、氮化(hua)硅(gui)等(deng)CVD工(gong)(gong)藝介(jie)質薄膜(mo)；金(jin)(jin)、銀、鋁、鈦、鎳、鉻等(deng)PVD工(gong)(gong)藝金(jin)(jin) 屬、及各(ge)種(zhong)金(jin)(jin)屬氧(yang)化(hua)物和(he)合金(jin)(jin)薄膜(mo)。

現有(you)設備： PECVD1、PECVD2、 磁控濺(jian)射鍍(du)膜儀1、磁控濺(jian)射鍍(du)膜儀2、電子束(shu)蒸(zheng)發臺(tai)、光學鍍(du)膜儀、快速退火爐、管式退火爐、半自動清洗機、甩干機等。

鍍膜-剝離成果：線寬70nm。

掃描電子(zi)(zi)顯微鏡(SEM)進行(xing)圖像觀察、微觀形貌表征(zheng)；雙束電鏡(FIB-SEM)對芯片進行(xing)截面(mian)切割表征(zheng)，結合元素分(fen)析(EDS)進行(xing)失效(xiao)分(fen)析，還可制備高質量TEM樣品；原子(zi)(zi)力顯微鏡(AFM)實(shi)現(xian)表面(mian)粗(cu)糙度(du)，形貌與(yu)三維結構的測量；膜厚儀(yi)與(yu)橢(tuo)偏(pian)儀(yi)實(shi)現(xian)常(chang)見薄(bo)膜材料厚度(du)與(yu)光學(xue)性質(折射(she)率n、消光系數k)測試。

現(xian)有設備：雙(shuang)束電鏡、FIB設備SEM/EDS、SEM、金相/數碼(ma)顯(xian)微鏡、原子(zi)力顯(xian)微鏡、橢偏儀(yi)、臺階儀(yi)、膜(mo)厚儀(yi)、三維輪廓儀(yi)等。

可(ke)配合進行(xing)薄膜(mo)鈮酸鋰相(xiang)關(guan)芯片的研發(fa)工作，及(ji)高校、科研院所等進行(xing)薄膜(mo)鈮酸鋰芯片定制化(hua)加工，提(ti)供(gong)(gong)基本器件庫，可(ke)提(ti)供(gong)(gong)器件設計版圖繪制等相(xiang)關(guan)定制化(hua)代(dai)工服(fu)務(wu)。

提供4英(ying)寸晶圓(yuan)級薄膜(mo)鈮酸鋰電光調(diao)制(zhi)器(qi)等芯片小批量(liang)加工服務，提供基本器(qi)件庫，可配合進行(xing)器(qi)件設計，可按(an)需求進行(xing)工藝(yi)開發。

提供(gong)周(zhou)期極化(hua)質子交換(huan)鈮酸鋰波(bo)導、周(zhou)期極化(hua)鈦擴散(san)鈮酸鋰波(bo)導、周(zhou)期極化(hua)薄膜鈮酸鋰波(bo)導等頻率轉換(huan)器(qi)件的加工(gong)服(fu)務，也可按照器(qi)件的性能要求(qiu)進行(xing)設(she)計加工(gong)。

無源硅光器件(jian)制備服務，SiN波導傳輸損耗(hao)優于1dB/cm,最小加工線寬(kuan)80nm,支持MMl、MZI(熱(re)調)、AWG等。

具備相關小(xiao)片及4-8英(ying)寸晶圓級加(jia)工能(neng)力，涵蓋氮(dan)化鋁鍍膜、AIN/Mo(氮(dan)化鋁/鉬)PVD單設(she)備組合鍍膜、刻(ke)蝕、多層套刻(ke)、電極制備等成(cheng)套 工藝能(neng)力。

FIB制備TEM樣品(pin)(pin)，極(ji)限厚度20nm,該樣品(pin)(pin)為藍寶(bao)石襯底上的二維材料

在(zai)機(ji)械剝離制(zhi)備二(er)維材(cai)料的基礎上，通過干(gan)法轉移(yi)制(zhi)備各種(zhong)二(er)維材(cai)料異(yi)質(zhi)結(jie)構

案(an)例(li)1：柱狀(zhuang) -Si Meta結構，最(zui)小線寬40nm，刻蝕深(shen)度970nm，深(shen)寬比在20:1以上(shang)

案例2:石(shi)英(ying)TiO2方柱Meta結構，最(zui)小線寬152nm,刻蝕深(shen)度801nm,深(shen)寬比達5:1

案(an)例3:石英SiN 圓柱(zhu)Meta結構，最小線寬(kuan)100nm,刻蝕深度(du)600nm,深寬(kuan)比6:1

       電光(guang)(guang)調(diao)制器(qi)是(shi)(shi)現代通(tong)信(xin)產業的核心部件，用(yong)來將(jiang)光(guang)(guang)發射器(qi)的高(gao)速(su)電子信(xin)號轉換(huan)為光(guang)(guang)信(xin)號，從而通(tong)過光(guang)(guang)纖傳(chuan)輸。5G通(tong)信(xin)需用(yong)到100GHz/400GHz集(ji)成(cheng)片(pian)上(shang)高(gao)速(su)光(guang)(guang)調(diao)制器(qi)，新型鈮(ni)酸鋰調(diao)制器(qi)參數(shu)優勢明(ming)(ming)顯、應用(yong)前(qian)景(jing)明(ming)(ming)確(que)且易于集(ji)成(cheng)，不僅是(shi)(shi)5G通(tong)信(xin)的理(li)想(xiang)選(xuan)擇，也是(shi)(shi)集(ji)成(cheng)光(guang)(guang)學芯片(pian)中的核心元(yuan)件，在大(da)數(shu)據(ju)(ju)處理(li)、云計算等(deng)大(da)型數(shu)據(ju)(ju)處理(li)平臺也有廣(guang)闊的應用(yong)前(qian)景(jing)。

提供周(zhou)期(qi)極(ji)化(hua)(hua)鈮酸鋰（PPLN）、周(zhou)期(qi)極(ji)化(hua)(hua)鉭酸鋰（PPLT）和相關(guan)特(te)殊形狀極(ji)化(hua)(hua)樣(yang)品的(de)制(zhi)備。該類產品主要(yao)基于準相位匹配原理（QPM），可(ke)實(shi)現激光(guang)頻率的(de)上轉(zhuan)換（SHG/SFG）、頻率下轉(zhuan)換（DFG/OPA/OPG/OPO）以及進行非(fei)線性(xing)光(guang)場調控，比如通過極(ji)化(hua)(hua)制(zhi)備鉭酸鋰非(fei)線性(xing)叉形光(guang)柵，可(ke)以實(shi)現光(guang)子軌道角動量(liang)(OAM)的(de)非(fei)線性(xing)產生。樣(yang)品長度(du):1mm～50mm，寬度(du):1mm～40mm，厚度(du):0.2mm～0.5mm，最(zui)小周(zhou)期(qi):5μm。